台积电3nm工艺步入正轨，2024下半年将按期投产N3P节点
IT之家5月17日音讯，台积电近来举行技能研讨会，表明其 3nm 工艺节点已步入正轨，N3P 节点将于 2024 年下半年投入量产。
N3P 根据 N3E 工艺节点，进一步进步能效和晶体管密度。台积电表明 N3E 节点良率进一步进步，现已比美老练的 5nm 工艺。
IT之家查询相关报导，台积电高管表明 N3P 工艺现在现已完结质量验证，其良品率能够接近于 N3E。作为一种光学微缩工艺，N3P 在 IP 模块、规划规矩、EDA 东西和办法方面兼容 N3E，因而台积电表明整个过渡进程十分顺畅。
N3P 的要害优势在于其带来的增强标准。与 N3E 比较，芯片规划人员能够期待在相同功耗下功能提高约 4%，或在匹配时钟下功耗下降约 9%。关于由逻辑、SRAM 和模仿元件组成的典型芯片规划，晶体管密度也进步了 4%。
本文源自：IT之家
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台积电声明指出，他们在美国的出资估计发明超越6000个高科技、高薪的直接作业时机，对美国提高国家经济竞争力和保证其在5G/ 6G及AI年代的领导地位方面，扮演着至关重要的人物。
值得一提的是，台积电创办人张忠谋到会台大96周年校庆活动，针对美国亚利桑那州新厂发展，他指出，美国厂现在发展情况非常杰出，但本次应不会有竣工仪式。
台积电之前曾多次回应外界，他们在美国建厂这件事一定要进行下去，为此他们在这里奉上了自家最顶级的人才和设备。
依照之前国外媒体曝光的细节看，台积电也被强制要求，不能向我国半导体厂商出手7nm及其以下的芯片了，三星等也在其间。
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