台积电初次揭露2nm！功能提高15％、功耗下降35％

liukang202421小时前今日吃瓜710

快科技12月15日音讯，IEDM 2024大会上，台积电初次披露了N2 2nm工艺的要害技能细节和功能指标：比照3nm，晶体管密度添加15％，平等功耗下功能提高15％，平等功能下功耗下降24-35％。

台积电2nm初次引进全盘绕栅极(GAA)纳米片晶体管，有助于调整通道宽度，平衡功能与能效。

新工艺还添加了NanoFlex DTCO(规划技能联合优化)，能够开发面积最小化、能效增强的更矮单元，或许功能最大化的更高单元。

此外还有第三代偶极子集成，包含N型、P型，然后支撑六个电压阈值档(6-Vt)，规模200mV。

经过种种改善，N型、P型纳米片晶体管的I/CV速度别离提高了70％、110％。

比照传统的FinFET晶体管，新工艺的纳米片晶体管能够在0.5-0.6V的低电压下，取得明显的能效提高，能够将频率提高大约20％，待机功耗下降大约75％。

SRAM密度也达到了创纪录的新高，每平方毫米约38Mb。

此外，台积电2nm还使用了全新的MOL中段工艺、BEOL后段工艺，电阻下降20％，能效更高。

值得一提的是，第一层金属层(M1)现在只需一步蚀刻(1P1E)、一次EVU曝光即可完结，大大下降了复杂度、光罩数量。

针对高功能核算使用，台积电2nm还引进了超高功能的SHP-MiM电容，容量大约每平方毫米200fF，能够取得更高的运转频率。

依照台积电的说法，28nm工艺以来，历经六代工艺改善，单位面积的能效比现已提高了超越140倍！

告发/反应

标签: 台积 2nm 15 35 功耗

返回列表

4月28日音讯，据台媒《经济日报》报导，中国台湾方案加强对先进工艺技能出口和半导体对外出资的操控。新的产创法令第22条现已获得了正式经过，针对台积电赴美出资将履行“N-1”技能约束，基本上制止台积电出...

668热心吃瓜网