台积电初次揭露2nm！功能提高15％、功耗下降35％
快科技12月15日音讯，IEDM 2024大会上，台积电初次披露了N2 2nm工艺的要害技能细节和功能指标：比照3nm，晶体管密度添加15％，平等功耗下功能提高15％，平等功能下功耗下降24-35％。
台积电2nm初次引进全盘绕栅极(GAA)纳米片晶体管，有助于调整通道宽度，平衡功能与能效。
新工艺还添加了NanoFlex DTCO(规划技能联合优化)，能够开发面积最小化、能效增强的更矮单元，或许功能最大化的更高单元。
此外还有第三代偶极子集成，包含N型、P型，然后支撑六个电压阈值档(6-Vt)，规模200mV。
经过种种改善，N型、P型纳米片晶体管的I/CV速度别离提高了70％、110％。
比照传统的FinFET晶体管，新工艺的纳米片晶体管能够在0.5-0.6V的低电压下，取得明显的能效提高，能够将频率提高大约20％，待机功耗下降大约75％。
SRAM密度也达到了创纪录的新高，每平方毫米约38Mb。
此外，台积电2nm还使用了全新的MOL中段工艺、BEOL后段工艺，电阻下降20％，能效更高。
值得一提的是，第一层金属层(M1)现在只需一步蚀刻(1P1E)、一次EVU曝光即可完结，大大下降了复杂度、光罩数量。
针对高功能核算使用，台积电2nm还引进了超高功能的SHP-MiM电容，容量大约每平方毫米200fF，能够取得更高的运转频率。
依照台积电的说法，28nm工艺以来，历经六代工艺改善，单位面积的能效比现已提高了超越140倍！
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